Questo sito usa i cookie per fornirti un'esperienza migliore. Cliccando su "Accetta" saranno attivate tutte le categorie di cookie. Per decidere quali accettare, cliccare invece su "Personalizza". Per maggiori informazioni è possibile consultare la pagina .
N-FET 55V 110A 200W .008R
| Prezzo: | €3,00 iva inclusa |
|---|---|
| Cod. art.: | IRF3205 |
| Listino Ufficiale: | PZ |
| Marca: | Vari |
| Disponibilità: | Disponibile |
| Quantità: |
Feedback degli utenti
Descrizione
Categoria prodotto:MOSFET
Produttore:Infineon
RoHS::A norma RoHS Dettagli
Tecnologia:Si
Stile di montaggio:Through Hole
Package/involucro:TO-220-3
Numero di canali:1 Channel
Polarità transistor:N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:55 V
Id - corrente di drain continua:98 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:20 V
Qg - Carica del gate:97.3 nC
Confezione:Tube
Marchio:Infineon Technologies
Altezza:15.65 mm
Lunghezza:10 mm
Pd - Dissipazione di potenza:150 W
Quantità colli di fabbrica:900
Tipo di transistor:1 N-Channel
Larghezza:4.4 mm
Peso unità:6 g
Produttore:Infineon
RoHS::A norma RoHS Dettagli
Tecnologia:Si
Stile di montaggio:Through Hole
Package/involucro:TO-220-3
Numero di canali:1 Channel
Polarità transistor:N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:55 V
Id - corrente di drain continua:98 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:20 V
Qg - Carica del gate:97.3 nC
Confezione:Tube
Marchio:Infineon Technologies
Altezza:15.65 mm
Lunghezza:10 mm
Pd - Dissipazione di potenza:150 W
Quantità colli di fabbrica:900
Tipo di transistor:1 N-Channel
Larghezza:4.4 mm
Peso unità:6 g
